三星Galaxy Note 20外观首曝，居中挖孔+矩阵三摄

5月19日消息，今日有网友在微博晒出一组疑似三星Galaxy Note 20的外观照片，并表示这是Galaxy Note 20大概的设计预览。根据图片显示，Galaxy Note 20延续上一代的居中挖孔屏设计方案，背部采用竖排矩阵三摄组合。

据外媒报道，三星Galaxy Note 20将搭载高通骁龙865处理器（此前已有爆料称高通今年不会有骁龙865Plus）。Galaxy Note 20预计将至少具备2款机型，其中Galaxy Note 20+将会搭载120Hz LTPO显示屏，分辨率为QHD+，这将是Galaxy Note系列第一款高刷新率旗舰。

其他方面，Galaxy Note 20将会在拍照方面进一步提升，预计仍将会搭载S20系列上同款的1亿像素主摄，并有消息称三星已经对1亿像素的对焦问题进行了改进，加上OIS光学防抖，所以在成像质量上值得期待。

此外三星Note系列标志性的S Pen也不会缺席，不知道三星今年将会在S Pen上开发出哪些新用途。按照以往的惯例，三星Galaxy Note系列将于8月份正式发布亮相，让我们拭目以待！

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