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中国股市:第三代半导体产业链名单一览(收藏

第三代是指半导体材料的变化,从第一代、第二代过渡到第三代。

第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的。

第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是 4G 时代的大部分通信设备的材料。

第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是 5G 时代的主要材料。

说白了,就是我们大学学的PN结,只不过材料跟之前不一样了。第三代以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主了。

小米wifi6还有65W 氮化镓充电器,都采用了氮化镓(GaN)这种材料,A股也刮起了一阵以氮化镓(GaN)为主题的风口。

说半天,那第三代有啥优点呢?

通俗的讲,第三代半导体性能优势:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。

第三代半导体产业链

第三代半导体产业链与一般半导体产业链模式相类似,一般分为衬底、外延生长、设计、制造以及封装这五个流程,同样也存在 IDM 模式,实现了设计制造的一体化。

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生产路线:

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你说SiC 和 GaN 有啥区别?

GaN 和 SiC 在材料性能上各有优劣,因此在应用领域上各有侧重和互补。SiC 与 GaN 相比,针对 SiC 材料的研究时间更长,相对技术成熟度更高。

SiC 材料在导热率上具备更多的优势,因此在高功率应用,比如高铁、输变电、新能源汽车以及工业控制等领域占据主要地位;

GaN 材料的优势在于拥有更高的电子迁移率,因此会比 SiC 和 Si 有更高的开关速度,在高频率领域具备优势,例如微波射频以及数据中心等应用场景。 GaN 在射频及快充领域表现亮眼。

这哥俩都这么有优势那应用在哪啊?

现在抄的很火的概念是啥,5G,射频芯片这不就用到GaN 材料了么。

上文说到的 快充,不也是GaN 材料么。

SiC 材料用在新能源汽车、光伏、风电等发电应用领域

从 SiC 下游应用占比来看,目前电动汽车领域占据了主要市场,未来随着SiC 车用逆变器的大规模采用,汽车市场占比还将持续上升,成为 SiC 市场增长的主要推动力。SiC 用在车用逆变器上,能够大幅度降低逆变器尺寸和重量,做到轻量化与节能。在相同功率等级下,全 SiC 模块的封装尺寸显著小于硅模块,同时也可以使开关损耗降低 75%(芯片温度为 150°C)。在相同封装下,全 SiC 模块具备更高的电流输出能力,支持逆变器达到更高功率。

SiC 材料用在5G、数据中心带动UPS发展

数据中心、5G基站建设推动UPS系统发展。工业控制IGBT还能用亍 UPS系统。UPS即为恒压恒频的丌间断电源,主要组成装置包括储能装置和逆变器。SiC主要用亍整流器和逆变器中。工业劢力用 UPS和信息化用UPS都将保持稳定增长,其中SiC需求也将扩大。

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那么总之一句话,第三代半导体以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主,有各种优异的性能,国家要大力发展,十四五规划已经明确说啦。

说这么多有啥用,都是为了下面这个!

了解个股所处的行业环节和行业赛道,这次更能占据优势。

A 股产业链相关公司梳理:

SiC产业链分布图:

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碳化硅产业链环节分为设备、衬底片、外延片和器件环节。建议关注:设备厂商露笑科技、三安光电、晶盛机电等;衬底厂商露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳等;外延厂商瀚天天成和东莞天域等;器件厂商三安光电、华润微、斯达半导、扬杰科技等。

海特高新:公司是国际一流水平的高性能集成电路制造企业,根据其2018年年报披露,已建成国内首条6寸化合物半导体商用生产线,解决了中国化合物半导体产业链中制造环节的瓶颈,实现了核心高端芯片自主可控及国产化替代。目前公司已完成氮化镓NHP50基站技术能力建设和硅基氮化镓功率器件的开发,已完成580余款定制芯片的开发与流片,已经具备5G氮化镓基站芯片代工能力。

三安光电:三安光电主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯为核心主业。公司目前氮化镓射频涵盖5G领域,已给几家客户送样,产品已阶段性通过电应力可靠性测试,实现小批量供货。

露笑科技:公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园,致力打造碳化硅“设备--衬底--外延”的完整产业链。

赛微电子:控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验,成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商

楚江新材:碳化硅作为目前发展最成熟的半导体材料,顶立科技将积极参与相关的原材料制备技术领域,公司在技碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制,目前已能实现小批量生产,且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求,掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上,各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要,其设备与工艺技术处于国内领先水平。

扬杰科技:碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。

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